Оперативная память Samsung DDR3 4Gb

Hardwareluxx > Статьи > Железо > Оперативная память > Тесты чипов памяти на 16 Гбит, в том числе Samsung A-Die (обновление 2)

” onclick=”window.open(this.href,’win2′,’status=no,toolbar=no,scrollbars=yes,titlebar=no,menubar=no,resizable=yes,width=640,height=480,directories=no,location=no’); return false;” rel=”nofollow”>
Опубликовано: 29.01.2020 в 13:30Дмитрий Чеканов

imageПланки на чипах памяти Samsung B-Die снискали заслуженную популярность, но они уже не производятся. Поэтому энтузиасты начали поиск альтернатив. Мы вооружились новым процессором из линейки Ryzen 3000, после чего провели тесты разных чипов на 16 Гбит. Чем они отличаются от обычных на 8 Гбит, и какие результаты можно от них ожидать? Об этом мы тоже поговорим в статье.

Многие производители памяти уже перешли к выпуску чипов на 16 Гбит по новым техпроцессам, соответствующие планки начали появляться в продаже. Благодаря переходу на новые технологии производства удалось удвоить емкость, поэтому на рынке постепенно появляются 16-Гбайт односторонние и 32-Гбайт двусторонние планки памяти. Пока что все производители для 16-Гбит чипов используют корпусировку Dual Die с двумя кристаллами, поэтому и формат новых чипов отличается от старых. На фотографии ниже показаны чипы Samsung 8 Гбит D-Die (вверху) и Samsung 16 Гбит A-Die (внизу).

Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).

Для теста памяти мы использовали следующую конфигурацию.

  • CPU: AMD Ryzen 5 3600X
  • Материнская плата: ASUS ROG Strix X570-I Gaming (BIOS 1404 Agesa 1.0.0.4b)
  • HDD: ADATA XPG SX6000 Lite 128 GB M.2
  • OS: Windows 10 (Build 1903)

Поскольку мы фокусируемся на тестах оперативной памяти, ниже приведены спецификации каждого комплекта:

Corsair Vengeance LPX DDR4-3000 CL15-17-17 (CMK64GX4M2C3000C15)

  • Hynix 16 Gbit CMR

Corsair Vengeance LPX DDR4-3000 CL16-20-20 (CMK64GX4M2D3000C16)

  • Micron 16 Gbit B-Die
  • Samsung 16 Gbit A-Die

Целью теста было определить наименьшие задержки при фиксированных частотах, а также оценить производительность в тестах Aida64 Cache и Memory Benchmark. Мы тестировали частоты DDR4-3200/3600/3800 и DDR4-4000. Напряжение VDIMM было выставлено на 1,45 В. Стабильность работы памяти мы проверяли с помощью утилиты Karhu RAMTest. Время теста выставлялось на 1000%, что соответствует примерно часу.

Ниже приведены задержки, которые нам удалось получить.

image

С чипами Micron и Samsung мы получили почти идентичные задержки. К сожалению, с чипами Samsung система не загрузилась в режиме DDR4-4000. В случае чипов Hynix тайминги иногда оказывались лучше, в том числе и основные.

Более высокое напряжение VDIMM 1,45 В вместо 1,35 В или 1,20 В сказывается на результатах. В случае всех чипов значение CL масштабировалось с напряжением. В случае Hynix удалось также улучшить задержки RCD, RP и RAS, хотя и незначительно.

Со всеми чипами на низких значениях RCDRD или RP система загружалась, но стабильную работу мы получили только с более высокими значениями. Особенно это было заметно с чипами Samsung и Hynix. Например, можно было загрузиться с памятью Samsung в режиме DDR4-3600 с задержками CL17-17-21-17, но стабильность работы достигалась лишь при увеличении RP до 21.

Еще один важный фактор производительности – tRFC. Чем меньше значение, тем выше производительность.

Сравнение задержки tRFC
  Hynix CMR Micron B-Die Samsung A-Die
tRFC 360 нс 320 нс 320 нс

Чипы Micron и Samsung показали одинаковый уровень, как и в случае основных задержек. К сожалению, чипам Hynix потребовалось намного большая задержка tRFC, что уничтожило преимущество меньших основных таймингов. У популярных чипов Samsung 8 Гбит B-Die, например, эту задержку можно снизить до 140 нс.

Пропускная способности и задержки

Утилита Aida64 отображает сведения о конфигурации системы. Также она содержит встроенные тесты производительности кэша и памяти, которые весьма популярны для оценки производительности. Можно оценить скорость чтения, записи, копирования, а также задержки памяти.

AIDA64

Пропускная способность чтения

Micron DDR4-3800 CL18-18-22-22 54690 Samsung DDR4-3800 CL18-18-23-22 54303 Hynix DDR4-3800 CL17-17-20-21 54152 Hynix DDR4-4000 CL18-18-21-21 53208 Micron DDR4-4000 CL19-19-23-23 53203 Micron DDR4-3600 CL17-17-21-21 51792 Hynix DDR4-3600 CL16-16-19-20 51664 Samsung DDR4-3600 CL17-17-21-21 51582 Samsung DDR4-3200 CL15-15-19-18 46644 Micron DDR4-3200 CL15-15-19-18 46492 Hynix DDR4-3200 CL15-15-17-18 46350 MB/s Больше – лучше

AIDA64

Пропускная способность копирования

Micron DDR4-3800 CL18-18-22-22 54997 Hynix DDR4-4000 CL18-18-21-21 54874 Hynix DDR4-3800 CL17-17-20-21 54816 Samsung DDR4-3800 CL18-18-23-22 54780 Micron DDR4-4000 CL19-19-23-23 54708 Samsung DDR4-3600 CL17-17-21-21 52219 Hynix DDR4-3600 CL16-16-19-20 52197 Micron DDR4-3600 CL17-17-21-21 52163 Micron DDR4-3200 CL15-15-19-18 47364 Samsung DDR4-3200 CL15-15-19-18 47211 Hynix DDR4-3200 CL15-15-17-18 46882 MB/s Больше – лучше

При копировании и чтении чипы показали близкую производительность при равных тактовых частотах. Чипы Hynix не выигрывают от меньших основных задержек, поскольку они замедляются из-за высокого значения tRFC.

Результаты DDR4-4000 оказались между DDR4-3600 и DDR4-3800, поскольку система Ryzen вышла из синхронного режима. В результате контроллер памяти работал на частоте в два раза ниже (для подробностей рекомендуем наш тест AMD Ryzen 3700X и 3900X).

AIDA64

Задержки

Micron DDR4-3800 CL18-18-22-22 67.9 Hynix DDR4-3800 CL17-17-20-21 68.0 Samsung DDR4-3800 CL18-18-23-22 68.0 Samsung DDR4-3600 CL17-17-21-21 70.2 Micron DDR4-3600 CL17-17-21-21 70.2 Hynix DDR4-3600 CL16-16-19-20 70.3 Samsung DDR4-3200 CL15-15-19-18 73.9 Micron DDR4-3200 CL15-15-19-18 75.1 Hynix DDR4-3200 CL15-15-17-18 75.8 Hynix DDR4-4000 CL18-18-21-21 77.3 Micron DDR4-4000 CL19-19-23-23 77.7 ns Меньше – лучше

С задержками ситуация похожая. На равных тактовых частотах чипы памяти дают близкие результаты. Разве что выделяется режим DDR4-3200 у чипов памяти Samsung. Здесь мы получаем на 1,2 нс или 1,9 нс меньшие задержки по сравнению с чипами Micron или Hynix. Поскольку тайминги модулей почти идентичны, причину назвать сложно.

В таблице ниже приведен полный список используемых таймингов.

У всех трех планок памяти нет сенсора для определения температуры. Данный тест интересен, поскольку позволяет определить предел стабильности планок в зависимости от температуры. Но мы прикрепили датчик температуры напрямую к 16-Гбит чипу.

Мы специально приглушили вентиляцию корпуса. Планки памяти напрямую не обдувались. Мы выставили режим DDR4-3200 CL16-19-19, после чего для нагрузки памяти запустили тест Karhu RAM. После увеличения температуры до 58 °C в тесте Karhu начали появляться ошибки.

Заключение

Новые чипы на 16 Гбит отлично соответствуют нынешней потребности рынка в увеличении емкости памяти. В результате даже материнские платы ITX с двумя слотами DIMM можно оснастить до 64 Гбайт ОЗУ, а в случае четырех слотов мы получаем емкость до 128 Гбайт. Максимальные частоты зависят от качества чипов, контроллера памяти и раскладки подключения памяти на материнской плате.

Производители уже объявили первые комплекты с тактовыми частотами от DDR4-3600 до DDR4-4000, они постепенно появляются на рынке.

По производительности все три типа чипов памяти очень близки друг к другу, причем все они показали хороший потенциал разгона. Как можно видеть по тестовым результатам, мы не смогли добиться таких же низких таймингов, что и в случае многих чипов 8 Гбит. Так что если вам не нужны высокие емкости, а производительность памяти требуется максимальная, лучше использовать старые добрые чипы на 8 Гбит. Посмотрим, улучшат ли производители результаты в будущих версиях чипов.

Преимущества 16 Гбит чипов памяти:

  • Большая емкость
  • Имеется потенциал разгона

Negative 16 Гбит чипов памяти:

  • Пока скудно доступны на рынке
  • Придется пойти на жертвы по таймингам
  • (Пока) высокая цена

Многие производители памяти, в том числе Corsair, Crucial и G.Skill, уже объявили новые планки и комплекты. В ближайшие недели доступность на рынке должна улучшиться, что наверняка положительно скажется на ценах.

Обновление

Форумчание немецкого Hardwareluxx получили новые результаты производительности. Использовался комплект Corsair 2×32 GB 3000 CL15 на чипах Hynix 16 Гбит CMR. Планки работали на платформе Intel. Память удалось разогнать до DDR4-4133, хотя потребовались настройки вручную. Пришлось выставить сравнительно высокие уровни VCCIO и VCCSA, а также tRFC. В режиме DDR4-4266 система уже не загружалась. Режим DDR4-4200 был вполне возможен, однако с ним терялась стабильность.

В случае DDR4-3600 C16 следует сделать примечание: вторичные тайминги можно было уменьшить еще сильнее. Но на системе Intel нельзя управлять tRP отдельно от tRCD. Поэтому пришлось довольствоваться таймингами 16-20-20 вместо 16-19-20. С задержками 16-19-19 тесты стабильности уже не проходили. Зазор между нестабильной и стабильной работой системы был не очень большой. Но либо планки сразу же выдавали ошибки, либо могли вечность работать на выставленных задержках.

Shadow of the Tomb Rainer

1.280 x 720 пикселей

2x 16GB Samsung B-Die @ 4500 CL17-18-18-36-360 189 2x 32GB Hynix CMR @ 4133 CL19-23-23-43-750 173 2x 32GB Hynix CMR @ 3600 CL16-20-20-34-648 173 FPS Больше – лучше

Как можно видеть по результатам тестов, оптимальная игровая производительность достигалась уже на 3600C16. Проблема с чипами CMR в том, что основные задержки приходилось поднимать, по крайней мере, на один шаг каждые 133 МГц. Что нивелирует преимущество по тактовым частотам. На производительности существенно сказываются tRP и tRCP, а также tRFC.

Второе обновление

В случае 16-Гбайт модулей появилось небольшое обновление, поскольку в рознице стали доступны еще две модели планок. В случае ADATA Premier DIMM на 16 GB (DDR4-2666, CL19-19-19-43) уровень разгона примерно соответствует 32-Гбайт модулям. Используются чипы от SpecTek (подразделение Micron).

С модулями ADATA Premier DIMM на 16 Гбайт возможна существенно более высокая тактовая частота во время процесса загрузки, но требуется корректировка задержек. Для DDR4-4600+ необходимо выставить более высокие значения tRCDRD и tRP. Но BIOS позволяет указать максимум 27. С данными значениями удается загрузиться в режиме DDR4-4866.

Планки Samsung M-Die в магазинах:

Кроме того, в магазинах появились SSamsung DIMM 16 GB (DDR4-2666, CL19-19-19) (от 4.100 ₽). Данные планки опираются на M-Die. У нас пока нет результатов разгона этих модулей.

25 марта 2021 года Samsung представила модуль памяти registered DIMM (RDIMM) DDR5 на 512 ГБ. На планке памяти расположены 40 штук (по четыре чипа памяти на банк, пятый для встроенной проверки ECC — on-die-ECC) 8-ми слойных модулей DDR5 с плотностью 16Гбит и объемом 16 ГБ, созданных с использованием новейшей технологии HKMG (High-K Metal Gate — транзисторы с подзатвором из материала, который имеет большую диэлектрическую проницаемость, чем оксид кремния). Чипы памяти объединены между собой с помощью технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV). Samsung заявила, что новая память DDR5 работает в два раза быстрее, чем память DDR4, а ее энергопотребление на 13% эффективнее из-за пониженного напряжения. Компания пояснила, что память DDR5 обеспечивает скорость передачи данных с одного пина до 7200 Мбит/с. Samsung планирует, что новые модули памяти будут использоваться в суперкомпьютерах и вычислениях, связанных с искусственным интеллектом и машинным обучением. Компания не уточнила, когда появятся варианты высокоплотных планок памяти для обычных пользователей. Также Samsung не назвала дату выпуска новой памяти RDIMM DDR5 на 512 ГБ для высокотехнологичного сегмента рынка. Samsung уточнила, что уже начала тестировать модули DDR5 с различными вендорами серверного оборудования. Компания ожидает в скором времени окончания всех необходимых проверок памяти и проведения сертификации для ее применения в серверах, поддерживающих память DDR5, которые появятся вскоре на рынке. Вероятно, что модуль памяти DDR5 на 512 ГБ можно будет использовать в новых серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5, например, на базе процессоров AMD EPYC (Genoa) и Intel Xeon (Sapphire Rapids). Фактически, при использовании с новыми серверными процессорами с восемью каналами памяти и двумя модулями DIMM на канал, новые модули памяти Samsung емкостью 512 ГБ позволяют оснастить каждый процессор до 8 ТБ памяти DDR5. Это в два раза больше, чем возможно сейчас — до 4 ТБ. Оперативная память 4Gb Samsung DDR4 2400 SO-DIMM M471A5244BB0-CRC DDR3 Компания из Москвы, доставка 1700 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip Компания из Москвы, доставка 1700 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M471B5273CH0-CH9 DDR3 1333 SO-DIMM Компания из Москвы, доставка 2900 в магазин память Модуль оперативной памяти SAMSUNG M378A5244CB0-CRC quad rank 4Gb DDR3 Компания из Москвы, доставка 2189 2189 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M378B5173EB0-YK0 DDR3L 1600 DIMM DDR3 Компания из Москвы, доставка 1700 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273CH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip Компания из Москвы, доставка 1800 в магазин Samsung Оперативная память 4Gb SO-DIMM DDR4 (1x4Gb) 2666Mhz (M471A5244CB0-CTDD0) DDR3 Компания из Москвы, доставка 2190 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CK0 DDR3 1600 DIMM 16Chip Компания из Москвы, доставка 1500 в магазин Модуль оперативной памяти Samsung DDR4 4GB 2400MHz, M391A5143EB1-CRCQ0 память DDR3 Компания из Москвы, доставка 4178 3798 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M471B5173QH0-YK0 DDR3L 1600 SODIMM DDR3 Компания из Москвы, доставка 2200 в магазин Оперативная память 4Gb Samsung M378B5273DH0-CH9 DDR3 1333 DIMM 16Chip Компания из Москвы, доставка 1800 в магазин Оперативная память Samsung M395T5160QZ4-CE65 DDRII 2R FBD ECC 4GB PC2-5300 667MHz DDR3 Компания из Москвы, доставка 8406 в магазин Модуль памяти DDR4 4GB Samsung M378A5244CB0-CTD PC4-21300 2666Mhz CL17 1.2V Оперативная память DDR3 Компания из Москвы, доставка 2946 2167 в магазин Модуль памяти SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666Mhz Samsung Оперативная память DDR3 Компания из Москвы, доставка 2150 в магазин Модуль памяти 4GB Samsung DDR4 2666 SO DIMM M471A5244CB0-CTD Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, 512×64, Bulk {75} Оперативная память DDR3 Компания из Москвы, доставка 2139 в магазин Модуль памяти SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666Mhz Samsung Оперативная память DDR3 Компания из Москвы, доставка 2210 в магазин Модуль памяти SODIMM DDR4 4GB Samsung M471A5244CB0-CWE PC4-25600 3200MHz CL22 1.2V Оперативная память DDR3 Компания из Москвы, доставка 2303 2185 в магазин

Привет! На связи сайт info-effect.ru. Сегодня вы узнаете, что такое ОЗУ в телефоне самсунг галакси и как его очистить. ОЗУ в смартфоне samsung galaxy и в любом другом, это оперативная память. То есть, память, которая выделяется на операции в данный момент времени. Например, вы открыли инстаграм, либо какое-то приложение работает в фоновом режиме. На любые совершаемые операции необходима оперативная память. Вы можете освободить или увеличить ОЗУ. Всё очень просто и быстро. Смотри инструкцию далее и пиши комментарии, если есть вопросы. Погнали!

На главном экране телефона найдите значок Обслуживание устройства и нажмите на него. Если не можете найти на рабочем столе, воспользуйтесь поиском вверху. Либо нажмите на вкладку с таким же названием в настройках.

Далее, на данной странице, внизу нажмите на вкладку ОЗУ.

Далее, нажмите на кнопку Очистить. Вам покажут сколько памяти вы можете освободить.

Нажав на вкладку Ещё (выше показано), вы можете посмотреть какие операции или процессы запущены на смартфоне в данный момент. Вы можете исключить определённые процессы из очистки, сняв галочку слева.

После очистки, вам покажут уведомление: Некоторые приложения могут быть автоматически запущены повторно.

Обратите внимание. Повторно запускаются только самые необходимые процессы для работы телефона в штатном режиме.

Всё готово. Обязательно чистите ОЗУ. Тем более, если ваш телефон тупит или зависает, значит ему не хватает памяти, либо запущено слишком много приложений или операций одновременно.

Остались вопросы? Напиши комментарий! Удачи!

45 предложений в Москве imageОперативная память Samsung R-DIMM 64 Гб DDR4 2933 МГц (M393A8G40MB2-CVF) PC4-23400

  • Гарантия производителя – 5 лет
  • Код производителя – m393a8g40mb2-cvf
  • Форм-фактор – r-dimm
  • Тип памяти – ddr-4
  • Объем памяти – 64 гб
  • Объем одного модуля – 64 гб

Курьер Почта Самовывоз 26 515 imageОперативная память Samsung R-DIMM 16 Гб DDR4 2666 МГц (M391A2K43BB1-CTDQY) PC4-21300

  • Гарантия производителя – 3 года
  • Страна – китай
  • Код производителя – m391a2k43bb1-ctdqk
  • Форм-фактор – r-dimm
  • Тип памяти – ddr-4
  • Объем памяти – 16 гб

Курьер Почта Самовывоз 6 875 imageОперативная память Samsung DIMM 8 Гб DDR4 2933 МГц (M378A1K43EB2-CVF00) PC4-23400

  • Код производителя – m378a1k43eb2-cvf00
  • Форм-фактор – dimm
  • Тип памяти – ddr-4
  • Объем памяти – 8 гб
  • Объем одного модуля – 8 гб
  • Количество модулей в комплекте – 1

Курьер Почта Самовывоз 3 538 imageОперативная память Samsung Память DDR4 M393A4K40DB2-CVF 32Gb RDIMM ECC Reg PC4-23466 CL21 2933MHz

  • Арт. – M393A4K40DB2-CVF
  • Код – 740617274882
  • Особенности – форм-фактор: RDIMM…

Курьер Почта Самовывоз 17 360 imageОперативная память Samsung Память DDR4 8Gb 2933MHz M378A1K43EB2-CVF RTL PC4-23466 CL21 DIMM 288-pin 1.2В

  • Арт. – M378A1K43EB2-CVF
  • Код – 740617274882
  • Особенности – 288-pin; частота: 2933; форм-фактор: DIMM; латентность: CL21; тип поставки: OEM…

Курьер Почта Самовывоз 3 890 imageОперативная память Samsung Память DDR4 M393A8K40B22-CWD 64Gb RDIMM ECC Reg PC4-21300 CL22 2666MHz

  • Арт. – M393A8K40B22-CWD
  • Код – 4713436122470
  • Особенности – форм-фактор: RDIMM…

Курьер Почта Самовывоз 43 190 imageОперативная память Samsung Память DDR4 16Gb 2666MHz M378A2G43MX3-CTD OEM PC4-21300 CL16 DIMM 288-pin 1.5В dual rank

  • Арт. – M378A2G43MX3-CTD
  • Код – 8809664561832
  • Особенности – 288-pin; частота: 2666; латентность: CL19; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM…

Курьер Почта Самовывоз 7 490 imageОперативная память Samsung M378A2G43AB3-CWE DIMM 16Gb DDR4 3200MHz

  • Артикул – 01933550
  • Вес – 300 г
  • Арт. – M378A2G43AB3-CWE

Курьер Почта Самовывоз 8 360 Оперативная память Samsung M471A1K43CB1-CTDD0 SO-DIMM 8Gb DDR4 2666MHz

  • Артикул – 01087661
  • Вес – 10 г
  • Арт. – M471A1K43CB1-CTDD0

Курьер Почта Самовывоз 4 030 Оперативная память Samsung M471A1K43EB1-CWE SO-DIMM 8Gb DDR4 3200MHz

  • Артикул – 01933896
  • Вес – 300 г
  • Арт. – M471A1K43EB1-CWE

Курьер Почта Самовывоз 4 200 Оперативная память Samsung DDR4 16Gb 2666MHz M471A2K43DB1-CTD OEM PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank

  • Артикул – 01933546
  • Вес – 10 г
  • Арт. – M471A2K43DB1-CTD

Курьер Почта Самовывоз 7 690 Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CTDD0 SO-DIMM 4Gb DDR4 2666MHz

  • Артикул – 01277889
  • Вес – 10 г
  • Арт. – M471A5244CB0-CTDD0

Курьер Почта Самовывоз 2 220 Оперативная память Samsung PC4-23400 2933MHz 21/Retail

  • Артикул – 01924410
  • Вес – 20 г
  • Арт. – M378A1K43EB2-CVF

Курьер Почта Самовывоз 3 800 Оперативная память Samsung 8Gb (1x8Gb) PC3-12800 1600MHz DDR3 RDIMM ECC Registered CL11 M393B1G70BH0-YK0

  • Артикул – 01031167
  • Вес – 20 г
  • Арт. – M393B1G70BH0-YK0

Курьер Почта Самовывоз 5 000 Оперативная память Samsung 16Gb (1x16Gb) PC4-21300 2666MHz DDR4 DIMM CL16 M378A2G43MX3-CTD00

  • Артикул – 01087663
  • Вес – 10 г
  • Арт. – M378A2G43MX3-CTD00

Курьер Почта Самовывоз 7 420 ОЗУ Samsung Оперативная память 32GB DDR4 3200MHz DIMM 288pin CL22 M393A4K40DB3-CWE Курьер Почта Самовывоз 16 955 ОЗУ Samsung Оперативная память 4GB DDR4 3200MHz SODIMM 260pin M471A5244CB0-CWE Курьер Почта Самовывоз 2 943 ОЗУ Samsung Оперативная память 8GB DDR4 3200MHz DIMM 288pin M393A1K43DB2-CWE Курьер Почта Самовывоз 5 050 ОЗУ Samsung Оперативная память 32GB DDR4 3200MHz DIMM 288pin CL22 M393A4K40DB2-CWE Курьер Почта Самовывоз 15 776 от 16 520 -5 % ОЗУ Samsung Оперативная память 16GB DDR4 2666MHz DIMM 288pin CL19 M378A2K43CB1-CTD Курьер Почта Самовывоз 7 057 ОЗУ Samsung Оперативная память 16GB DDR3L 1600MHz DIMM 240pin CL11 M393B2G70QH0-YK0 Курьер Почта Самовывоз 10 515 ОЗУ Samsung Оперативная память 4GB DDR4 2666MHz SODIMM 260pin CL19 M471A5244CB0-CTD Курьер Почта Самовывоз 2 410 ОЗУ Samsung Оперативная память 32GB DDR4 2933MHz DIMM 288pin CL21 M393A4K40DB2-CVF Курьер Почта Самовывоз 15 550 ОЗУ Samsung Оперативная память 16GB DDR4 3200MHz DIMM 288pin M378A2G43AB3-CWE Курьер Почта Самовывоз 7 970 ОЗУ Samsung Оперативная память 16GB DDR4 3200MHz SODIMM 260pin M471A2K43DB1-CWE Курьер Почта Самовывоз 7 700 ОЗУ Samsung Оперативная память 8GB DDR4 3200MHz SODIMM 260pin CL22 M471A1K43EB1-CWE Курьер Почта Самовывоз 3 960 ОЗУ Samsung Оперативная память 16GB DDR4 3200MHz DIMM 288pin M393A2K40DB3-CWE Курьер Почта Самовывоз 7 609 в Москве Доб. к сравнениюВ магазинБыстрый просмотрПоказать еще 30 товаров

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
А как считаете Вы?
Напишите в комментариях, что вы думаете – согласны
ли со статьей или есть что добавить?
Добавить комментарий